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期刊名稱： | 半導(dǎo)體學(xué)報(bào)：英文版 |
| 期刊級(jí)別： | 國(guó)家級(jí) | |
| 國(guó)內(nèi)統(tǒng)一刊號(hào)： | 11-5781/TN | |
| 國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)刊號(hào)： | 1674-4926 | |
| 期刊周期： | 月刊 | |
| 主管單位： | 中國(guó)科學(xué)院 | |
| 主辦單位： | 中國(guó)電子學(xué)會(huì) 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 | |
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《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)：英文版》期刊簡(jiǎn)介
• 期刊信息：
《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》是中國(guó)電子學(xué)會(huì)和中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所主辦的學(xué)術(shù)刊物。它報(bào)道半導(dǎo)體物理學(xué)、半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)和相關(guān)科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)最新的科研成果和技術(shù)進(jìn)展，內(nèi)容包括半導(dǎo)體超晶格和微結(jié)構(gòu)物理，半導(dǎo)體材料物理，包括量子點(diǎn)和量子線等材料在內(nèi)的新型半導(dǎo)體材料的生長(zhǎng)及性質(zhì)測(cè)試，半導(dǎo)體器件物理，新型半導(dǎo)體器件，集成電路的CAD設(shè)計(jì)和研制，新工藝，半導(dǎo)體光電子器件和光電集成，與半導(dǎo)體器件相關(guān)的薄膜生長(zhǎng)工藝，性質(zhì)和應(yīng)用等等。本刊與物理類期刊和電子類期刊不同，是以半導(dǎo)體和相關(guān)材料為中心的，從物理，材料，器件到應(yīng)用的，從研究到技術(shù)開發(fā)的，跨越物理和信息兩個(gè)學(xué)科的綜合性學(xué)術(shù)刊物。《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》發(fā)表中、英文稿件。《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》被世界四大檢索系統(tǒng)(美國(guó)工程索引(EI)，化學(xué)文摘(CA)，英國(guó)科學(xué)文摘(SA)，俄羅斯文摘雜志(РЖ))收錄。
《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》1980年創(chuàng)刊。現(xiàn)為月刊，每期190頁左右，國(guó)內(nèi)外公開發(fā)行。每期均有英文目次，每篇中文論文均有英文摘要。《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》主編為王守武院士。主要讀者對(duì)象是從事半導(dǎo)體科學(xué)研究、技術(shù)開發(fā)、生產(chǎn)及相關(guān)學(xué)科的科技人員、管理人員和大專院校的師生。
學(xué)報(bào)期刊榮譽(yù)
《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》獲獎(jiǎng)情況：中科院優(yōu)秀期刊二等獎(jiǎng)(90)、全國(guó)優(yōu)秀期刊三等獎(jiǎng)(92)、全國(guó)優(yōu)秀期刊三等獎(jiǎng)(97);該刊被以下數(shù)據(jù)庫收錄：CA化學(xué)文摘(美)(2009)、SA科學(xué)文摘(英)(2009)、CBST科學(xué)技術(shù)文獻(xiàn)速報(bào)(日)(2009)、Pж(AJ)文摘雜志(俄)(2009)、EI工程索引(美)(2009)、中國(guó)科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫(CSCD—2008)。
• 期刊欄目：
《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》主要欄目有：研究快報(bào)、研究論文、研究簡(jiǎn)報(bào)、技術(shù)進(jìn)展等。
• 數(shù)據(jù)庫收錄情況：
• 辦刊宗旨：
• 影響因子：
期刊收錄論文目錄
Steady-state solution growth of microcrystalline silicon on nanocrystalline seed layers on glassR.Bansen C.Ehlers Th.Teubner T (37)
Optoelectronic properties and Seebeck coefficient in SnSe thin filmsK S Urmila;T A Namitha;J Raja (41)
Bulk heterojunction thin film formation by single and dual feed ultrasonic spray method for application in organic solar cellsD.M.Marathe H.S.Tarkas M.S.Mah (47)
A thin transition film formed by plasma exposure contributes to the germanium surface hydrophilicity賴淑妹;毛丹楓;黃志偉;許怡紅;陳松巖;李成;黃巍;湯丁亮 (51)
A transformed analytical model for thermal noise of FinFET based on fringing field approximationSavitesh Madhulika Sharma S.Da (57)
Investigation of Coulomb scattering on sSi/Si_(0.5)Ge_(0.5)/sSOI quantum-well p-MOSFETs文嬌;劉強(qiáng);劉暢;王翼澤;張波;薛忠營(yíng);狄增峰;俞文杰;趙清
