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太赫茲科學與電子信息學報期刊介紹

太赫茲科學與電子信息學報征收論文 期刊名稱: 太赫茲科學與電子信息學報
期刊級別: 國家級期刊
國內統一刊號: 51-1746/TN
國際標準刊號: 2095-4980
期刊周期: 雙月刊
主管單位: 中國工程物理研究院
主辦單位: 中國工程物理研究院電子工程研究所
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  太赫茲科學與電子信息學報》期刊簡介

 

  • 期刊信息:《太赫茲科學與電子信息學報》Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology(雙月刊)曾用刊名:信息與電子工程;電子技術參考(內刊),2003年創刊,國內外公開發行,本刊面向全國各地從事太赫茲科學與電子信息技術研究的專家,學者和廣大科技人員,為其搭建廣泛交流新思想,新理論和新技術的橋梁,促進太赫茲科學與電子信息技術等學簡直的交叉與融合,更快地推動我國太赫茲科學技術的發展。《太赫茲科學與電子信息學報》主管單位:中國工程物理研究院,主辦單位:中國工程物理研究院電子工程研究所,國內統一刊號:51-1746/TN,國際標準刊號:2095-4980

  • 期刊欄目:太赫茲科學技術、探測制導、測控通信與電子對抗、電磁場與微波、信號與信息處理、計算機與控制、微電子、微系統與物理電子學。

  • 數據庫收錄情況:國家新聞出版總署收錄 維普網、萬方數據庫、知網數據庫、哥白尼索引收錄
 
  • 辦刊宗旨:《太赫茲科學與電子信息學報》刊登的主要內容包括太赫茲科學技術,探測制導,測控通信與電子對抗,電磁場與微波,信號與信息處理,計算機與控制,微電子,微系統與物理電子學等,太赫茲科學技術包括太赫茲產生,放大,傳輸,檢測等理論與技術,以及太赫茲在光譜學,通信,雷達,成像,材料檢測,天文學,空間科學,生物醫學等領域的應用技術等.敬希廣大讀者,作者繼續關注我刊,踴躍投稿,訂閱。

  • 影響因子:截止2014年萬方:影響因子:0.509;總被引頻次:438

  截止2014年知網:復合影響因子:0.668;綜合影響因子:0.454

  

  •《太赫茲科學與電子信息學報》投稿范例:

  《信息與電子工程》更名為《太赫茲科學與電子信息學報》公告……………………………………

  一種0.3THz二維光子晶體定向耦合器的設計…………………………………陳琦 何曉陽 張健

  第九屆全國信號和智能信息處理與應用學術會議征文通知…………………………………

  熱累積效應對碳納米管場發射特性的影響…………………………………嚴飛 李男男 金大志 陳磊 向偉

  0.14THz折疊波導行波管中衰減器的設計…………………………………雷文強 蔣藝 胡林林 馬國武 陳洪斌

  一種太赫茲微流控芯片…………………………………韓雪 蘇波 張存林

  0.45THz次諧波混頻器優化設計…………………………………蔣長宏 張德海 趙鑫

  平面肖特基二極管的制作…………………………………羅躍川 趙妍 沈昌樂 閻大偉

  太赫茲合成孔徑雷達的運動補償…………………………………鄧楚強 李崇誼 劉振華 王霞 江濤

  2.52THz傅里葉數字全息中噪聲影響仿真…………………………………崔珊珊 李琦 胡佳琦

  太赫茲復合材料無損檢測技術及其應用…………………………………張紫茵 邢礫云 張瑾 馬宇婷 常天英 崔洪亮

  超材料壓縮感知成像技術…………………………………白佳俊 陳強 陳亮 付云起

  一種基于傅里葉矩陣的多路信號調制方法…………………………………胡軼男 陶成 劉留

  車載激光雷達三維點云重構與漫游方法…………………………………楊浩 游安清 潘文武 任樹廣 唐丹

  標準低密度奇偶校驗碼譯碼算法中量化結構…………………………………蘭亞柱 楊海鋼 林郁

  信息對抗偵察系統開放架構計算環境…………………………………甄君 梁超 夏俊清

  用于平板電腦的小型化LTE/GSM/UMTS多頻段天線…………………………………侯佳琪 郭慶功

  投稿論文:熱累積效應對碳納米管場發射特性的影響

  1991年,日本電氣股份有限公司(Nippon Electric Company,NEC)的lijima在氬氣氛圍直流電弧放電后的陰極碳棒沉積碳墨中,通過透射電子顯微鏡(Transmission Electron Microscope,TEM)發現了碳納米管[1]。此后,碳納米管因其一系列優越的性能,如低密度、高強度、高導電性、低的電子親和勢、良好的導熱性等,受到了科學工作者們的廣泛關注。特別是在場致發射器件陰極材料研究領域,碳納米管以易加工,制備成本低,閾值場強低等諸多優點而成為近年來的研究熱點[2-5]。1995年,Rinzler等首次報道了關于碳納米管在場致發射方面的研究結果[6]。同年瑞典的Heer等人研究了碳納米管的場發射特性,提出將碳納米管作為場發射電子源的可行性,引起了學術界的轟動[2]。國內外大量研究表明,碳納米管場發射陣列理論上可提供非常高的發射電流和發射電流密度。但實際研究中發現,碳納米管場發射陣列陰極總的電流提供能力受到了很大的限制[7],從而限制了其電子槍[8]在X射線管[9]、微波管等方面的應用。

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